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全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來(lái)密集突破期
從2025年開(kāi)始,人工智能、HPC、新能源汽車等下游產(chǎn)業(yè)爆發(fā),各國(guó)在核心設(shè)備領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇,全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)進(jìn)入密集突破期。
2小時(shí)前
來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 許子皓??

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“工業(yè)母機(jī)”,半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的迭代方向一定程度上決定了芯片產(chǎn)業(yè)走向。從2025年開(kāi)始,人工智能、HPC、新能源汽車等下游產(chǎn)業(yè)爆發(fā),各國(guó)在核心設(shè)備領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)加劇,全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)進(jìn)入密集突破期。

先進(jìn)制程迭代加速 前道制造設(shè)備革新全面提速

SEMI發(fā)布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》指出,2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元,同比增長(zhǎng)13.7%,遠(yuǎn)超2024年1043億美元的紀(jì)錄,創(chuàng)下歷史新高。而前道制造設(shè)備貫穿晶圓加工全流程,包含光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)、清洗、涂膠顯影等關(guān)鍵裝備,是技術(shù)壁壘最高、資本投入最大、驗(yàn)證周期最長(zhǎng)的環(huán)節(jié)。隨著制程向2nm及以下演進(jìn),高精度、高一致性、低損傷、高產(chǎn)能成為設(shè)備升級(jí)主線。

ASML的新一代High-NA EUV光刻機(jī)(EXE 系列)

在光刻機(jī)領(lǐng)域,全球形成EUV與DUV技術(shù)路線并行的格局。荷蘭ASML是目前全球唯一實(shí)現(xiàn)EUV光刻機(jī)量產(chǎn)供應(yīng)的企業(yè),其新一代High-NA EUV(EXE 系列)采用0.55高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng),分辨率達(dá)8nm,成像對(duì)比度顯著提升,官方規(guī)劃2025~2026年用于2nm及以下先進(jìn)邏輯與高密度存儲(chǔ)芯片大規(guī)模量產(chǎn),可有效減少制程步驟、降低缺陷與生產(chǎn)成本。該系列包含TWINSCAN EXE:5000與TWINSCAN EXE:5200B兩款核心機(jī)型,已獲國(guó)際頭部晶圓廠訂單,驗(yàn)證與裝機(jī)按規(guī)劃推進(jìn);現(xiàn)有NXE系列EUV設(shè)備(NA=0.33)則繼續(xù)承擔(dān)7nm~3nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)任務(wù),兩類EUV系統(tǒng)將長(zhǎng)期并行支撐先進(jìn)制程制造。國(guó)內(nèi)方面,上海微電子SSX600系列ArF干式光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn),可滿足成熟制程芯片制造需求。

刻蝕設(shè)備是芯片圖形化加工的核心裝備,直接影響結(jié)構(gòu)精度與電學(xué)性能。國(guó)際層面,美國(guó)應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體持續(xù)推進(jìn)原子層刻蝕、金屬刻蝕等高端設(shè)備研發(fā),適配先進(jìn)制程互連層、柵極結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵工藝需求,產(chǎn)品批量應(yīng)用于國(guó)際主流先進(jìn)晶圓產(chǎn)線。國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備突破顯著,北方華創(chuàng)14nm介質(zhì)刻蝕與導(dǎo)體刻蝕設(shè)備已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn),良率、穩(wěn)定性與重復(fù)性滿足量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),廣泛進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流晶圓廠成熟制程產(chǎn)線;先進(jìn)制程刻蝕設(shè)備處于企業(yè)內(nèi)部技術(shù)驗(yàn)證階段,整體技術(shù)差距持續(xù)收縮。

薄膜沉積設(shè)備中,原子層沉積(ALD)與化學(xué)氣相沉積(CVD)是先進(jìn)制程與3D存儲(chǔ)的關(guān)鍵裝備。日本TEL、美國(guó)應(yīng)用材料在高精度ALD設(shè)備領(lǐng)域保持領(lǐng)先,沉積均勻性、臺(tái)階覆蓋能力與缺陷控制達(dá)到先進(jìn)水平。國(guó)內(nèi)設(shè)備提速明顯,北方華創(chuàng)CVD設(shè)備形成系列化布局,可覆蓋3D NAND閃存制造需求,已批量交付國(guó)內(nèi)頭部存儲(chǔ)芯片企業(yè),膜層質(zhì)量、產(chǎn)能效率與運(yùn)行穩(wěn)定性持續(xù)提升。

離子注入機(jī)用于調(diào)控芯片摻雜精度與電學(xué)性能,是功率半導(dǎo)體與先進(jìn)邏輯芯片的必備裝備。國(guó)際上,美國(guó)應(yīng)用材料、日本日新等企業(yè)持續(xù)優(yōu)化注入均勻性、劑量精度與長(zhǎng)期可靠性,滿足先進(jìn)制程與車規(guī)級(jí)芯片嚴(yán)苛要求。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體專用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破,萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通低能大束流離子注入機(jī)已實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)與客戶端批量交付,可支撐12英寸晶圓廠量產(chǎn)需求,在成熟制程與功率半導(dǎo)體領(lǐng)域形成穩(wěn)定供應(yīng)能力;近日,由中核集團(tuán)中國(guó)原子能科學(xué)研究院自主研制的我國(guó)首臺(tái)串列型高能氫離子注入機(jī)(POWER-750H)成功出束,核心指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平。華海清科、北方華創(chuàng)、爍科中科信?、艾恩半導(dǎo)體也都有多款產(chǎn)品相繼推出。

華海清科的CMP設(shè)備

前道輔助設(shè)備呈現(xiàn)多點(diǎn)開(kāi)花態(tài)勢(shì)。華海清科12英寸CMP設(shè)備在28nm及以上成熟制程實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用,14nm關(guān)鍵工藝處于企業(yè)內(nèi)部驗(yàn)證階段;盛美上海的高端清洗設(shè)備可解決高深寬比結(jié)構(gòu)清洗中的顆粒污染與金屬污染問(wèn)題,獲得國(guó)內(nèi)頭部存儲(chǔ)廠商訂單;芯源微涂膠顯影設(shè)備通過(guò)國(guó)內(nèi)晶圓廠28nm產(chǎn)線驗(yàn)證,核心零部件國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升,成為國(guó)內(nèi)前道涂膠顯影環(huán)節(jié)主力供應(yīng)商。整體來(lái)看,2026年全球前道設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)兩大趨勢(shì):先進(jìn)制程圍繞EUV、原子層刻蝕、高精度ALD展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng);國(guó)產(chǎn)設(shè)備以成熟制程為突破口,實(shí)現(xiàn)從單點(diǎn)突破向體系化方向發(fā)展。

先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)需求爆發(fā) 后道封測(cè)設(shè)備需求激增

在后道制造環(huán)節(jié),Chiplet、2.5D/3D堆疊、混合鍵合(Hybrid Bonding)等先進(jìn)封裝技術(shù)快速普及,在不依賴最先進(jìn)制程的條件下顯著提升芯片系統(tǒng)性能、降低成本、縮短開(kāi)發(fā)周期,成為AI芯片、高性能計(jì)算、車載主控芯片的主流技術(shù)路線,直接帶動(dòng)減薄、切割、鍵合、測(cè)試、分選等封測(cè)設(shè)備需求高速增長(zhǎng)。

減薄與劃片設(shè)備方面,日本DISCO在超薄晶圓減薄、高精度切割領(lǐng)域保持全球領(lǐng)先,推出適配先進(jìn)封裝的無(wú)損傷加工設(shè)備,滿足3D堆疊對(duì)超薄晶圓的要求。國(guó)內(nèi)設(shè)備實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破,華海清科減薄拋光一體機(jī)進(jìn)入國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商量產(chǎn)線,厚度均勻性、表面粗糙度、碎片率等指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平。激光隱形切割與傳統(tǒng)刀片切割形成互補(bǔ),分別適配超薄大尺寸晶圓與厚晶圓、功率器件等場(chǎng)景,日本DISCO、光力科技、大族激光推出的高端劃片機(jī),已覆蓋功率半導(dǎo)體、光電器件、先進(jìn)封裝等細(xì)分市場(chǎng)。

固晶與鍵合設(shè)備是先進(jìn)封裝的核心裝備。海外企業(yè)持續(xù)推出高精度、高密度產(chǎn)品,適配Chiplet多芯片集成需求。國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)批量替代,新益昌高端固晶機(jī)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨,在高精度固晶、熱穩(wěn)定性、多芯片集成等方面達(dá)到行業(yè)要求;大族光電鍵合設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)封測(cè)廠商Chiplet產(chǎn)線,滿足高密度互連與細(xì)間距鍵合需求,打破海外高端鍵合設(shè)備壟斷格局。

測(cè)試與分選設(shè)備是國(guó)產(chǎn)封測(cè)設(shè)備突破最顯著的領(lǐng)域。長(zhǎng)川科技高速數(shù)字測(cè)試機(jī)可滿足高端數(shù)字芯片與高速接口芯片測(cè)試需求;華峰測(cè)控車規(guī)級(jí)模擬測(cè)試機(jī)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位,全面覆蓋車載電源、功率芯片、傳感器等車用場(chǎng)景;聯(lián)動(dòng)科技推出碳化硅(SiC)專用測(cè)試機(jī),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試裝備空白。國(guó)內(nèi)分選設(shè)備已實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓全覆蓋,部分機(jī)型實(shí)現(xiàn)出口,正式進(jìn)入全球供應(yīng)鏈體系。

當(dāng)前,先進(jìn)封裝成為后道設(shè)備增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。2026年全球封測(cè)設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)容,國(guó)內(nèi)設(shè)備從低端向中高端突破,從單機(jī)供應(yīng)逐步升級(jí)為整線配套方案輸出,封測(cè)裝備體系完整性與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)增強(qiáng)。

全球產(chǎn)業(yè)格局深度調(diào)整,多元化生態(tài)加速形成

2025至2026年,全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)格局進(jìn)入深度調(diào)整期。美國(guó)、日本、荷蘭企業(yè)憑借長(zhǎng)期技術(shù)積累、專利壁壘與生態(tài)協(xié)同,在先進(jìn)制程高端設(shè)備市場(chǎng)仍占據(jù)主導(dǎo)地位;中國(guó)設(shè)備企業(yè)在成熟制程賽道快速突圍,產(chǎn)品覆蓋前道制造與后道封測(cè)核心環(huán)節(jié),市場(chǎng)份額與營(yíng)收規(guī)模穩(wěn)步提升,推動(dòng)全球設(shè)備產(chǎn)業(yè)向多中心、多元化方向發(fā)展。

從企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局看,海外龍頭企業(yè)占據(jù)全球設(shè)備市場(chǎng)主要份額,在EUV光刻、先進(jìn)刻蝕、高端ALD等領(lǐng)域形成技術(shù)壁壘。國(guó)內(nèi)以北方華創(chuàng)、華海清科、盛美上海、芯源微、萬(wàn)業(yè)企業(yè)、長(zhǎng)川科技等為代表的設(shè)備企業(yè)形成梯隊(duì)化突破,產(chǎn)品從單一設(shè)備供應(yīng)擴(kuò)展至工藝組合、整線解決方案與配套服務(wù),部分產(chǎn)品進(jìn)入國(guó)際供應(yīng)鏈,綜合競(jìng)爭(zhēng)力顯著提升。

從區(qū)域產(chǎn)業(yè)集群看,全球已形成三大特色半導(dǎo)體設(shè)備集群:北美集群依托先進(jìn)制程研發(fā)與高端制造能力保持領(lǐng)先;歐洲集群以荷蘭ASML、德國(guó)蔡司等企業(yè)為支撐,在高端光刻系統(tǒng)與核心組件領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)突出;亞太集群以中國(guó)為核心增長(zhǎng)引擎,下游市場(chǎng)需求旺盛、晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏快、本土化動(dòng)力強(qiáng),成為全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)最快的區(qū)域。

從市場(chǎng)需求結(jié)構(gòu)看,全球設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)先進(jìn)制程與成熟制程雙輪驅(qū)動(dòng)。AI服務(wù)器、高性能計(jì)算、高端智能手機(jī)拉動(dòng)先進(jìn)制程設(shè)備需求;汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、功率半導(dǎo)體支撐成熟制程設(shè)備穩(wěn)定增長(zhǎng)。行業(yè)整體向高效化、精細(xì)化、低能耗、綠色化升級(jí),智能化運(yùn)維、高產(chǎn)能利用率、低碳制造成為新的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。

全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵階段。先進(jìn)制程持續(xù)向更小節(jié)點(diǎn)突破,高端裝備競(jìng)爭(zhēng)集中于光刻、刻蝕、薄膜沉積等核心環(huán)節(jié);成熟制程依托下游旺盛需求保持穩(wěn)定擴(kuò)張,為國(guó)內(nèi)設(shè)備本土化提供機(jī)遇。未來(lái),隨著技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善,半導(dǎo)體設(shè)備將進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)向更深層次、更廣范圍延伸,為全球科技產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展與智能化轉(zhuǎn)型提供堅(jiān)實(shí)裝備保障。

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