快科技12月8日消息，據(jù)財聯(lián)社報道，存儲芯片市場正經(jīng)歷罕見的“超級漲價周期”，DRAM顆粒年內(nèi)漲幅超4倍、Flash價格翻近3倍。

疊加AI服務(wù)器需求擠占產(chǎn)能，消費級存儲供給持續(xù)收縮，下游終端廠商陷入低庫存被動補庫困境，未來消費電子將出現(xiàn)“價格更高、容量更小”的市場格局。

據(jù)酷賽智能透露，4GB DDR4x顆?，F(xiàn)貨價從年初7美金漲至11月中旬30美金以上，漲幅達4-5倍；64GB eMMC從3.2美金漲至8美金以上，F(xiàn)lash類產(chǎn)品整體漲幅近3倍。

11月初閃迪宣布漲價50%，三星部分產(chǎn)品跟進漲價超60%，短時間內(nèi)大幅漲價超出行業(yè)預(yù)期。

甚至美光宣布終止旗下消費級品牌英睿達的內(nèi)存與SSD業(yè)務(wù)，將資源聚焦于AI驅(qū)動的高增長數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，全力沖擊高利潤AI存儲。

這也導(dǎo)致目前智能手機廠商存儲庫存水位普遍在4周以下，遠低于8-10周的健康水平。

分析機構(gòu)表示，這并非手機廠商主動去庫存，而是因年初需求預(yù)期保守未及時補庫，且當(dāng)前現(xiàn)貨價格過高、貨源緊缺，只能被動接受高價補庫。

未來手機部分主流配置可能會從12GB+512GB重新轉(zhuǎn)向8GB/12GB+256GB，終結(jié)此前存儲容量持續(xù)翻倍的趨勢，同時漲價也是不可避免的選項。

小米集團總裁盧偉冰此前在業(yè)績電話會上曾公開表示，內(nèi)存成本的飆升已經(jīng)到了“提高手機價格無法完全抵消”的地步，預(yù)計明年產(chǎn)品零售價格可能會有較大幅度上漲。