快科技8月10日消息，據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃重新推出其Z-NAND存儲(chǔ)技術(shù)，目標(biāo)性能比傳統(tǒng)NAND閃存提升高達(dá)15倍，同時(shí)功耗降低80%。

此外，三星還開(kāi)發(fā)了一種名為“GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）”的新技術(shù)，允許GPU直接訪問(wèn)Z-NAND存儲(chǔ)設(shè)備，類(lèi)似于微軟的DirectStorage API。

三星的Z-NAND技術(shù)最初于2010年代中期推出，目標(biāo)是與英特爾3D XPoint Optane存儲(chǔ)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。兩者都引入了一種新型固態(tài)存儲(chǔ)，其性能接近DRAM，系統(tǒng)延遲遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)SSD。

與英特爾的3D XPoint Optane不同，三星的第一代Z-NAND本質(zhì)上是加速版的NAND SLC SSD。

其基于改進(jìn)的V-NAND設(shè)計(jì)，采用48層結(jié)構(gòu)，以單層單元（SLC）模式運(yùn)行，其關(guān)鍵改進(jìn)是將頁(yè)面大小減小至2-4KB，從而實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度和更低的系統(tǒng)延遲。

當(dāng)時(shí)，基于英特爾Optane和三星Z-NAND的驅(qū)動(dòng)器速度比傳統(tǒng)SSD快6-10倍，如果三星的下一代Z-NAND達(dá)到預(yù)期目標(biāo)，其性能將比當(dāng)前的NVMe SSD高出15倍。