在近日舉行的IEEE國際電子設備會議（IEDM）上，臺灣半導體制造巨頭臺積電（TSMC）詳細介紹了其備受矚目的下一代工藝節(jié)點N3P和N2，特別是2nm N2技術的更多細節(jié)，揭示了該技術在性能和效率方面的顯著提升。

臺積電的2nm工藝，被業(yè)界寄予厚望，預計將在2025年下半年大規(guī)模生產。該工藝采用了全新的“N2 Nanosheet”技術，與上一代產品相比，性能提升了15%，功耗降低了30%，晶體管密度提高了1.15倍。這一突破得益于全能柵極（GAA）納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的應用，使得在最小面積內能夠集成更多不同的邏輯單元，從而優(yōu)化了節(jié)點性能。

臺積電通過從傳統的FinFET技術轉向專用的N2“納米片”技術，實現了對電流流動的更精確控制。這種納米片結構由一疊狹窄的硅帶組成，每個硅帶都被一個柵極包圍，與FinFET相比，提供了更精細的控制能力。

這一技術進步不僅為臺積電帶來了功能上的小幅提升，尤其是在與3nm及其衍生產品進行比較時，更是引起了行業(yè)巨頭如Apple和NVIDIA的大規(guī)模采用。然而，隨著技術的升級，2nm工藝的晶圓價格也將同步上漲，成本比3nm高出10%以上。據悉，N2晶圓的價格可能在每片25,000美元至30,000美元之間，而3nm晶圓的價格大約在20,000美元左右。

盡管初始良率和試生產可能會限制最終生產的規(guī)模，導致該技術的采用在初期階段較為緩慢，但臺積電的2nm工藝無疑為半導體行業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇，預示著未來電子產品在性能和能效方面的巨大飛躍。