據(jù)央視新聞消息，當(dāng)?shù)貢r(shí)間10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)同意三星電子和SK海力士向其位于中國(guó)的工廠提供設(shè)備，無需其它許可。

這樣的消息，對(duì)于兩家公司來說自然是利好，畢竟這在很大程度上消除了兩大半導(dǎo)體企業(yè)在中國(guó)投資和經(jīng)營(yíng)上的不確定性。

三星和SK海力士是全球前二的存儲(chǔ)芯片制造商，已在中國(guó)投資數(shù)十億美元建設(shè)芯片生產(chǎn)設(shè)施。據(jù)路透社報(bào)道，三星電子約40%的NAND閃存芯片在西安工廠生產(chǎn)；SK海力士約40%的DRAM芯片在無錫生產(chǎn)，20%的NAND閃存芯片在大連生產(chǎn)。

那么，這兩家企業(yè)為什么能夠收獲利好信息呢？其實(shí)，答案在于，國(guó)內(nèi)一些龍頭企業(yè)如長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、北京君正、兆易創(chuàng)新、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了突破。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)成立于2016年，是國(guó)DRAM領(lǐng)域頭部企業(yè)，同時(shí)也是中國(guó)大陸首家DRAM IDM廠商，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體。如今，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已成為中國(guó)大陸規(guī)模最大且唯一能夠制造DDR4/LPDDR4存儲(chǔ)芯片的廠商。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。2022年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了基于晶棧3.0架構(gòu)的第四代3D TLC NAND閃存芯片，命名為X3-9070，層數(shù)高達(dá)232層。這使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為全球首個(gè)量產(chǎn)超過200層的3D NAND芯片制造商。

可以看到，雖然三星、SK海力士、美光等企業(yè)具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)，但在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，中國(guó)本土企業(yè)已經(jīng)可以進(jìn)行有效替代。在這邊的背景下，三星、SK海力士獲得一些“松綁”，也就并不意外。

那么，可以預(yù)測(cè)的是，接下來存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將進(jìn)入激烈的市場(chǎng)化比拼的階段，不排除在激烈的市場(chǎng)博弈之下，行業(yè)爆發(fā)價(jià)格大戰(zhàn)的可能。尤其是在消費(fèi)電子行業(yè)需求下行的情況下，這樣的幾率更加上升。

不管怎樣，一個(gè)開放、活躍、公平的半導(dǎo)體市場(chǎng)對(duì)于相關(guān)企業(yè)來說十分重要，對(duì)于整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定可預(yù)期運(yùn)行來說，同樣非常重要?！翱ú弊印敝粫?huì)倒逼中國(guó)企業(yè)更強(qiáng)的發(fā)展動(dòng)力，中國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的成功也有望復(fù)制到其他半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，最終在中國(guó)乃至全球市場(chǎng)形成更加公平、安全、穩(wěn)定的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。