快科技1月12日消息，存儲(chǔ)巨頭美光科技宣布，將于1月16日下午在美國(guó)紐約州正式破土動(dòng)工，興建其規(guī)劃中的巨型晶圓廠。

該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)高達(dá)1000億美元，是紐約州歷史上規(guī)模最大的私人投資項(xiàng)目。

美光表示，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的環(huán)境審查與必要的許可審批后，現(xiàn)已完成基地準(zhǔn)備，即將進(jìn)入實(shí)質(zhì)施工階段。

該制造中心將建設(shè)多達(dá)四座工廠，致力于打造全球最先進(jìn)的存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，以滿足人工智能等領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。

據(jù)了解，美光最初于2022年10月公布建廠計(jì)劃，原定2024年中開(kāi)工。然而，由于長(zhǎng)達(dá)上萬(wàn)頁(yè)的環(huán)境評(píng)估報(bào)告審查流程，工期推遲了約一年半。

根據(jù)最新安排，美光計(jì)劃在3月31日前完成場(chǎng)地清理，隨后進(jìn)行鐵路支線與濕地平整工作。預(yù)計(jì)首座工廠將于2030年投產(chǎn)，第二座工廠將在三年后啟用。至2045年第四座工廠建成時(shí)，該項(xiàng)目將創(chuàng)造約9000個(gè)就業(yè)崗位。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)顯示，在2025年第三季度全球HBM市場(chǎng)中，美光以21%的營(yíng)收份額位列第三，落后于SK海力士（57%）和三星電子（22%）。

而在包含HBM在內(nèi)的整體DRAM市場(chǎng)中，三家公司份額分別為SK海力士34%、三星電子33%、美光26%。若美光能按計(jì)劃將其市場(chǎng)份額提升至40%，則有望超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，躍升為全球第一大存儲(chǔ)公司。