在剛剛過去的4月，臺積電、三星、美光接連獲得美國政府資金補貼。據(jù)不完全統(tǒng)計，已經(jīng)有7家半導(dǎo)體企業(yè)獲得美國政府資金補貼。

美國《芯片與科學(xué)法案》于2022年8月頒布，計劃撥款超過527億美元資金，用于扶持美國半導(dǎo)體研發(fā)、制造和勞動力發(fā)展。其中390億美元作為直接撥款，補貼給半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商。

業(yè)內(nèi)人士接受《中國電子報》記者采訪時表示，美方對本土芯片產(chǎn)業(yè)提供巨額補貼和稅收優(yōu)惠，部分條款逼迫企業(yè)棄中就美，具有明顯的歧視性，嚴(yán)重違背了市場規(guī)律和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則，將對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈造成扭曲。

美光獲61.4億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月25日，美國最大的計算機(jī)存儲芯片制造商美光科技宣布，將從美國聯(lián)邦政府獲得61.4億美元的直接資金，用于在紐約建設(shè)兩座DRAM晶圓廠，在愛達(dá)荷州新建一家DRAM晶圓廠。除61億美元的政府撥款外，美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免，這將為合格的資本投資提供25%的抵免。此外紐約州政府也將提供價值55億美元的激勵措施。

三星獲64億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月15日，美國商務(wù)部宣布，將向三星提供64億美元的直接補貼，支持該公司在得克薩斯州建設(shè)計算機(jī)芯片制造和研發(fā)產(chǎn)業(yè)集群。此外三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預(yù)期能夠覆蓋合規(guī)資本支出的25%。

據(jù)悉，三星將對其位于得州奧斯汀的原有晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建，同時在奧斯汀東北方向的泰勒市新建兩座專注于大規(guī)模生產(chǎn)4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠、一座研發(fā)工廠和一座先進(jìn)封裝設(shè)施。

臺積電獲66億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間4月8日，美國商務(wù)部宣布，將向臺積電（TSMC）發(fā)放66億美元的直接資金補貼，并提供50億美元的低息政府貸款，用于支持臺積電在亞利桑那州新建設(shè)三座新的尖端芯片廠。

臺積電透露，依進(jìn)度規(guī)劃，亞利桑那州首座晶圓廠將于2025年上半年開始生產(chǎn)4納米制程芯片，第二座廠除了采用3納米技術(shù)，還將于2028年生產(chǎn)采用下一世代納米片（Nanosheet）晶體管結(jié)構(gòu)的2納米制程芯片。至于第三座晶圓廠，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代末（2029年至2030年）采用2納米或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

英特爾獲85億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間3月20日，美國商務(wù)部和英特爾簽署非約束性的初步條款備忘錄，擬通過《芯片和科學(xué)法案》為英特爾提供85億美元的直接資金補貼和110億美元的聯(lián)邦貸款擔(dān)保，以推進(jìn)其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的商用半導(dǎo)體項目。其中，英特爾在俄亥俄州的新建晶圓廠將耗資逾200億美元，預(yù)計該廠將于2027年或2028年投產(chǎn)。據(jù)悉，俄亥俄州的工廠將生產(chǎn)人工智能芯片。

英特爾位于亞利桑那州錢德勒兩工廠的建設(shè)進(jìn)展（圖片來源：英特爾攝于2024年1月拍攝的視頻）

格芯獲15億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間2月19日，美國政府表示，將向Global Foundries（格芯）提供15億美元資金，以支持其在紐約州馬爾他興建新廠，并擴(kuò)大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓（Burlington）既有的生產(chǎn)規(guī)模。此外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最終帶動投資在120億美元左右。

微芯獲1.62億美元補貼

當(dāng)?shù)貢r間1月4日，美國商務(wù)部宣布，向Microchip Technology（微芯）提供1.62億美元的政府補貼，以提高該公司芯片和微控制器（MCU）的產(chǎn)量。據(jù)悉，該筆補貼將分為兩個部分，第一部分約為9000萬美元，用于擴(kuò)建Microchip Technology在美國科羅拉多州的一家制造工廠，第二部分約為7200萬美元，用于擴(kuò)建在美國俄勒岡州的一家工廠。

責(zé)任編輯：夏冬陽