近日，有消息稱，韓國半導體制造商三星和SK海力士正在準備下單ASML的全新High-NA EUV光刻機。ASML表示，新的High-NA EUV光刻機將成為實現(xiàn)2納米制程工藝的關(guān)鍵設(shè)備。預示著2納米制程工藝的競爭將更加激烈。

EUV光刻機是先進制程得以延續(xù)的必備設(shè)備，ASML是全球第一大光刻機設(shè)備商，同時也是全球唯一可提供EUV光刻機的設(shè)備商，來自各大半導體廠商的訂單早已堆積成山。因此，去年ASML就已經(jīng)提高了兩次生產(chǎn)目標，希望到2025年，其年出貨量能達到約600臺DUV（深紫外光）光刻機以及90臺EUV（極紫外光）光刻機。

而此次升級后的High-NA EUV光刻系統(tǒng)將提供0.55數(shù)值孔徑，相較于配備了0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)，精度將更高，可以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以及更小的晶體管特征，成為實現(xiàn)2納米制程工藝的關(guān)鍵設(shè)備。

ASML預計明年將向客戶交付首臺High-NA EUV光刻機,交付后，EUV光刻機將不再是最先進的設(shè)備，理論上就能夠?qū)崿F(xiàn)自由出貨。

所有想要競爭2納米市場的玩家都對這臺全新的光刻機勢在必得。英特爾率先宣布訂購High-NA EUV光刻機，還宣布了一個集成半導體公司（IDM 2.0）的戰(zhàn)略，目標是重回晶圓代工市場。

臺積電也表示將在2024年購買ASML的High-NA EUV光刻機，目標是在2025年量產(chǎn)2納米制程工藝。

而韓國雙雄三星和SK海力士也表示將加入訂單大戰(zhàn)。以三星電子為例，其現(xiàn)有的EUV光刻機估計花費了10億到15億元人民幣，而High-NA EUV光刻機則估計將達到25億元人民幣，以爭取在2025年的2納米之戰(zhàn)中取得先機。