2022年芯片十大品牌榜公布，美國英特爾排名第一，美國高通排名第二，中國海思排名第三。韓國三星排名第四，中國聯(lián)發(fā)科技排名第五，美國英偉達(dá)排名第六，美國博通排名第七，美國德州儀器，排名第八，美國AMD排名第九，韓國海力士排名第十。美國獨占六席 ，韓國、中國各兩席。

華為將會在明年推出盤古M系列芯片，主要是用在PC等設(shè)備上，采用了是14nm工藝。部分中端麒麟芯片也將會回歸，可能會采用14nm工藝和N+1工藝。畢竟，14nm工藝已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)，而N+1工藝也實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。這類芯片將會用在華為手機等移動設(shè)備上。

華為將會在2023年獲得部分5G芯片，讓華為5G手機回歸。目前已經(jīng)有多家國內(nèi)廠商能夠自主研發(fā)制造5G芯片，像力通通訊、富滿微都量產(chǎn)了5G芯片，前者可用于5G基站等，采用28nm工藝，后者可用于手機等移動設(shè)備。上海方面已經(jīng)宣布國產(chǎn)CPU、5G芯片已經(jīng)取得了突破，這意味著華為在明年在會有部分5G芯片可用。

華為已經(jīng)發(fā)布了多個堆疊技術(shù)芯片相關(guān)的專利，主要涉及芯片拼接方式、功耗等，未來將會采用堆疊技術(shù)的芯片，用面積換性能。

一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。該芯片堆疊封裝包括：設(shè)置于第一走線結(jié)構(gòu)和第二走線結(jié)構(gòu)之間的第一芯片和第二芯片;所述第一芯片的有源面面向所述第二芯片的有源面;第一芯片的有源面包括第一交疊區(qū)域和第一非交疊區(qū)域 。

這也就意味著華為正在努力解決芯片短缺的問題，而且華為堆疊芯片設(shè)計思路是將兩枚芯片采用了上下堆疊的方式進(jìn)行封裝。簡單來說就是采用面積換性能，用堆疊換性能，使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來的產(chǎn)品里面，能夠具有競爭力。華為明年將會推出自研的堆疊技術(shù)，可能會是采用雙14nm芯片或者N+1芯片進(jìn)行堆疊，從而獲得高性能的芯片。當(dāng)然，華為自研的堆疊芯片很大可能會優(yōu)先用在PC等設(shè)備上，經(jīng)過進(jìn)一步驗證后，才可能會用在手機等移動設(shè)備上。