[釘科技報道] 近日，東芝儲存公司（Toshiba Memory Corporation）宣布，已經(jīng)試產(chǎn)成功全球第一個UFS3.0閃存。據(jù)了解，這次試產(chǎn)的容量版本有三個，分別為128GB、256GB和512GB。

當下智能手機主流旗艦機型應用的是UFS 2.1規(guī)格的閃存芯片。去年年初，UFS 3.0規(guī)格正式推出，但芯片遲遲沒有實現(xiàn)量產(chǎn)，東芝則打破了僵局。

據(jù)了解，從規(guī)格上來看，三款閃存芯片基于東芝的96層BiCS4 3D TLC NAND存儲器，其理論接口速度為每通道每秒11.6Gbps，在雙通道下可以實現(xiàn)23.2Gbps帶寬。

東芝方面認為這款新產(chǎn)品最終的順序讀寫速度將高達2900MB/s，512GB版本的產(chǎn)品，在順序讀取和寫入方面相比東芝的上一代產(chǎn)品性能提升約為70%。

首款采用UFS 3.0閃存的設備預計在今年內(nèi)上市。

東芝方面尚未透露其UFS 3.0芯片隨機讀寫速度，在智能手機上的應用場景性能提升尚未明確，但是其2900MB/s的順序讀寫成績已經(jīng)可以媲美采用NVMe協(xié)議的固態(tài)硬盤，如果可以應用到輕薄本上或可以進一步減少筆記本的厚度和功耗。（釘科技原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載務必注明出處“釘科技”）